据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
Posted on 2026-02-24
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从“靠近人才”转向“靠近电力”。西海岸供电紧张、成本高企，巨头被迫向中西部、南部电力洼地迁移，形成“能源在哪里，算力就在哪里”的新格局。
Laura CressTechnology reporter
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